INN650TA030AH 是英諾賽科 (Innoscience) 推出的一款 650V GaN (氮化鎵) 增強(qiáng)型功率晶體管。它采用英諾賽科先進(jìn)的 8 英寸硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 技術(shù)制造，具有卓越的性能和可靠性，適用于各種高壓電源應(yīng)用。

關(guān)鍵特性和優(yōu)勢(shì)：

650V 耐壓: 適用于高壓電源應(yīng)用，例如 AC-DC 電源、PFC 電路、逆變器等。

增強(qiáng)型 (e-mode) GaN 器件: 增強(qiáng)型 GaN 晶體管具有常關(guān)特性 (normally-off)，無(wú)需復(fù)雜的驅(qū)動(dòng)電路，簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)，提高了可靠性。

低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)): 0.030 歐姆 (典型值)。極低的導(dǎo)通電阻顯著降低了傳導(dǎo)損耗，提高了電源效率。這意味著更少的能量轉(zhuǎn)化為熱量，從而減少了散熱需求并提高了系統(tǒng)整體效率。

低柵極電荷 (Qg): 降低開(kāi)關(guān)損耗。

高開(kāi)關(guān)速度 (High Switching Speed): GaN 材料的固有特性使其具有比傳統(tǒng)硅器件更高的開(kāi)關(guān)速度，這使得電源能夠以更高的頻率運(yùn)行，從而減小了元件尺寸和重量，并提高了功率密度。

無(wú)反向恢復(fù)電荷 (Qrr = 0): GaN 器件沒(méi)有反向恢復(fù)電荷，消除了由反向恢復(fù)引起的損耗和噪聲，進(jìn)一步提高了電源效率和可靠性。

高可靠性: 采用英諾賽科成熟的 GaN-on-Si 技術(shù)制造，具有出色的可靠性和穩(wěn)定性。

符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn): 符合歐盟 RoHS 指令，不含有害物質(zhì)，環(huán)保安全。

封裝: 采用DFN8x8 封裝, 體積小巧，散熱性能優(yōu)異。

主要應(yīng)用：

INN650TA030AH 適用于各種高壓電源應(yīng)用，包括：

AC-DC 電源: 服務(wù)器電源、適配器、充電器等。

功率因數(shù)校正 (PFC) 電路: 提高電源的功率因數(shù)，降低諧波，符合電網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)。

DC-DC 轉(zhuǎn)換器: 用于各種電壓轉(zhuǎn)換應(yīng)用。

逆變器: 太陽(yáng)能逆變器、儲(chǔ)能逆變器等。

電機(jī)驅(qū)動(dòng): 提高效率，減小尺寸。

車載充電器 (OBC): 用于電動(dòng)汽車。

INN650TA030AH_Datasheet_V1.1.pdf