在AI狂潮中，CoWoS等先進(jìn)封裝技術(shù)獲得了市場(chǎng)的廣泛關(guān)注，但基于3D小芯片技術(shù)的智能手機(jī)AP預(yù)計(jì)要在2025年之后才能起飛。

隨著摩爾定律接近物理極限，以及愿意承擔(dān)3nm以下先進(jìn)工藝高成本的大客戶數(shù)量有限，晶圓級(jí)SiP和邏輯芯片3D堆疊的概念正在成為下一個(gè)重要趨勢(shì)。

消息人士稱，與在單個(gè)節(jié)點(diǎn)上制造整個(gè)SoC相比，隨著晶圓堆疊技術(shù)的成熟，基于Chiplet技術(shù)構(gòu)建芯片更容易，產(chǎn)量更高，成本控制也更好。同時(shí)，除了由單一制造商制造和封裝先進(jìn)芯片外，這種分工還可以應(yīng)用于SoIC，代工廠采用先進(jìn)制造技術(shù)制造芯片，F(xiàn)CBGA后端封裝可以由OSAT（外包半導(dǎo)體封裝和測(cè)試）完成。

據(jù)消息人士透露，PC和筆記本電腦中使用的基于SoIC（單線集成電路小輪廓封裝）技術(shù)的CPU后端封裝可以外包給OSAT，因?yàn)楹蠖酥圃煨枰c基板相關(guān)的FC（倒裝芯片）封裝，但使用SoIC技術(shù)的智能手機(jī)AP則并非如此。

在2020-2022年左右，聯(lián)發(fā)科和高通曾向臺(tái)積電詢問是否使用不帶DRAM的InFO技術(shù)，臺(tái)積電針對(duì)其需求推出了Bottom Only InFO_B。盡管如此，該技術(shù)仍處于開發(fā)階段，尚未商業(yè)化。

熟悉移動(dòng)AP的業(yè)內(nèi)人士表示，無論是臺(tái)積電InFO還是Fan-out PoP封裝，安靠、日月光、長(zhǎng)電科技都可以做，已經(jīng)基本成熟，跳躍的空間有限。此外，與Fan-out封裝相比，F(xiàn)C PoP封裝成熟且具有成本效益。

對(duì)于OSAT來說，F(xiàn)an-out封裝的生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)和成本競(jìng)爭(zhēng)力不如晶圓代工廠，這也是各大IC設(shè)計(jì)公司尚未引入該技術(shù)生產(chǎn)芯片的原因之一。

由于當(dāng)前智能手機(jī)低迷、庫存高企、成本上升等負(fù)面因素，引入Fan-out封裝并不務(wù)實(shí)，更不用說3D芯片了，更沒有理由在智能手機(jī)中引入3D Chiplet AP。

盡管如此，從中長(zhǎng)期來看，智能手機(jī)AP采用先進(jìn)封裝是必然趨勢(shì)。預(yù)計(jì)到2026-2027年，臺(tái)積電SoIC產(chǎn)能將增長(zhǎng)20倍，首先應(yīng)用于PC和筆記本CPU，然后采用InFO封裝的3D芯片引入智能手機(jī)AP。蘋果和臺(tái)積電有望引領(lǐng)這一趨勢(shì)。