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東芝(Toshiba)半導體智能功率芯片
發布時間:2021-04-17 15:22:38 點擊量:



型號: 東芝(Toshiba)半導體智能功率芯片
智能功率模塊芯片中的主要發熱元件是IGBT,功率芯片,驅動1C及其外圍電阻,電容等元器件對散熱要求不高。支撐結構主要有以下幾種方案:采用覆銅陶瓷基板作為支撐,將IGBT,FRD功率芯片與驅動1C及其外圍電阻,電容等元器件焊接在覆銅陶瓷基板上,然后用環氧樹脂塑料塑封,其中將沒有元件焊接的一面露在外面,使用覆銅陶瓷基板(DBC)可提高產品的可靠性以及散熱能力,但IPM產品成本相對較高;
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